Według tajwańskiego United Daily News Li Peiying, dyrektor generalny oddziału w Azji Południowej, ogłosił 10-go, że ukończył niezależne badania i rozwój 10-nanometrowej technologii DRAM i rozpocznie produkcję próbną w drugiej połowie tego roku.
Podobno globalne układy pamięci DRAM są kontrolowane głównie przez Samsung, SK Hynix i Micron. Ich udział wynosi ponad 95%. Głównym powodem jest to, że te trzy patenty technologiczne tworzą bardzo wysoki próg. Przebicie się przez inne firmy jest trudne. .
Oddział w Azji Południowej koncentruje się teraz na technologii 20 nm, a źródłem technologii jest Micron. Wprowadzenie 10-nanometrowego procesu Nanyi do niezależnej technologii oznacza, że nie będzie już polegać na autoryzacji Micron w przyszłości, a każdy produkt opracowuje sama firma. Koszty są znacznie zmniejszone.
Li Peiying powiedział, że Nanyake z powodzeniem opracował nową technologię produkcji pamięci dla pamięci DRAM 10 nm, która umożliwiła zrównoważone kurczenie się produktów DRAM przez co najmniej trzy epoki. Pierwsza generacja 10-nanometrowych produktów ołowiu, 8 Gb DDR4, LPDDR4 i DDR5, zostanie zbudowana na niezależnych technologiach procesowych i platformach technologii produktu, a rozpocznie produkcję próbną produktu po drugiej połowie 2020 r.
10-nanometrowa technologia procesowa drugiej generacji rozpoczęła badania i rozwój, a produkcja próbna ma zostać wprowadzona do 2022 r. W przyszłości zostanie opracowana technologia 10-nanometrowa trzeciej generacji. Podkreślił, że po wejściu w proces 10-nanometrowy Nanya skupi się na opracowanej przez siebie technologii, zmniejszy koszty licencyjne i znacznie poprawi wydajność.
Zgodnie z rozwojem procesu 10 nanometrów nakłady inwestycyjne Nanyi będą w ubiegłym roku wyższe niż 5,5 miliarda juanów. Li Peiying powiedział, że oprócz poprawy kosztów, udany niezależny rozwój technologii procesowej 10 nanometrów w Nanyi pomoże wykorzystać możliwości rozwoju i postęp technologiczny w kierunku nowych produktów o dużej gęstości.