Wybierz swój kraj lub region.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїнаO'zbekગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaதமிழ் மொழி

Ukończ proces rozwoju 3 nm w 2020 r., Jacy są zabójcy Samsunga w erze 5G?

2019 to rok, w którym konsumenci znają technologię 5G i kontaktują się z nią. Na początku tego roku Samsung wypuścił pierwszy komercyjny telefon komórkowy 5G w wersji Galaxy S105G, który jako pierwszy oferuje konsumentom produkt końcowy, który może wyczuć sieć 5G.

Dlaczego Samsung może tak szybko dostarczać produkty 5G, co wiąże się z wysiłkami w zakresie badań, rozwoju i aktualizacji technologii 5G. Ostatnio na forum Samsung 5G Technology Forum udostępnił Jiwei informacje techniczne dotyczące Samsunga w erze 5G. Rzućmy okiem na to, co Samsung zaktualizował w 5G.

Opracowany przez siebie układ 5G i 3 nm pojawią się w przyszłym roku

Na początku września 2019 r. Samsung Electronics wydał swój pierwszy zintegrowany układ 5G Exynos980. Układ wykorzystuje proces 8 nm do połączenia modemu komunikacyjnego 5G z wydajnym mobilnym AP (ApplicationProcessor). Na poprzednim spotkaniu SFF „Samsung Foundry Forum” Samsung po raz kolejny ogłosił postęp nowej technologii, mikro-sieć dowiedziała się, że proces 3 nm zostanie zakończony w przyszłym roku.

Według techników Samsung 5G R&D w węźle 3 nm Samsung przełączy tranzystory FinFET na tranzystory bramki surround GAA. Proces 3 nm wykorzystuje tranzystory GAA pierwszej generacji, które oficjalnie nazywane są procesem 3GAE. Opierając się na nowej strukturze tranzystorów GAA, Samsung stworzył MBCFET (Multi-Bridge-ChannelFET) przy użyciu urządzeń nanochipowych, które mogą znacznie poprawić wydajność tranzystorów i zastąpić technologię tranzystorów FinFET.

Ponadto technologia MBCFET jest kompatybilna z istniejącymi technologiami i sprzętem procesu produkcji FinFET w celu przyspieszenia rozwoju i produkcji procesu. W porównaniu z obecnym procesem 7 nm, proces 3 nm zmniejsza obszar rdzenia o 45 procent, zużycie energii o 50 procent, a wydajność o 35 procent. Jeśli chodzi o postęp procesu, Samsung już w kwietniu tego roku wyprodukował chipy 7 nm w zakładzie S3Line w Hwaseong w Korei Południowej. Oczekuje się, że proces rozwoju technologii 4 nm zakończy się w tym roku, a proces rozwoju technologii 3 nm oczekuje się w 2020 roku.

Kompleksowe rozwiązanie 5G

W erze 5G Samsung jest pierwszym pod względem technologii i produktów. Konkretne zalety znajdują odzwierciedlenie w następujących punktach:

Po pierwsze, jeśli chodzi o patenty, patenty Samsung 5G są obfite; po drugie, w grupie roboczej 3GPP Samsung ma łącznie 12 prezydentów lub wiceprzewodniczących; po trzecie, w zakładach, badaniach i rozwoju technologii fal milimetrowych, Samsung przetestował Pokrycie falą milimetrową obejmuje odległość większą niż 1 km od linii wzroku, a zasięg poza linią wzroku osiąga kilkaset metrów. Jednocześnie można go używać w gęstej zabudowie miejskiej i istniejącej stacji bazowej 4G.

Obecnie Samsung ma trzy układy: modem, układ zasilania i układ RF i wszystkie są gotowe do masowej produkcji; wyposażenie sieciowe obejmuje stację bazową 5G i router 5G (wewnętrzny i zewnętrzny). Kompleksowe usługi firmy Samsung na rynku 5G obejmują kompleksowe urządzenia sieciowe, chipy RF, chipy końcowe, terminale, sieci bezprzewodowe, sieci podstawowe i oprogramowanie do planowania sieci.

Wierzę, że w przyszłej erze 5G Samsung jest gotowy pozwolić nam oczekiwać nowych technologii.